「IoT時代に不可欠な不揮発メモリIPを提供」
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【堀内 忠彦氏 略歴】
1983年京都大学大学院工学研究科原子核工学専攻修了後、日本電気(株)入社。1989年カリフォルニア大学バークレー校客員研究員（1年間）。2002年分社化により(株)NECエレクトロニクス転籍。2003年DongbuAnam Semiconductor（韓国）入社、Executive Vice President。2004年(有)NSCore設立、取締役社長就任。2005年株式会社化、代表取締役社長就任（現任）。
【株式会社NSCore】
設 立 ：2004年9月13日
資本金 ：92,280千円
所在地 ：福岡県福岡市早良区百道浜3-8-33
事業内容：不揮発メモリIPの開発およびライセンス付与
IoT時代に不可欠な不揮発メモリIPを提供
■日本初のメモリIPベンチャー
当社は2004年9月創立以来、不揮発メモリ技術をコアコンピタンスとして、半導体集積回路における革新的な設計IPをIDM（垂直統合型デバイスメーカー）やファブレス設計会社をはじめ、多くのお客様向けに提供してきました。当社の『PermSRAM』を搭載する半導体の累計出荷数は20億個に到達し、有力スマートフォンなどにも採用されており、収益の柱となっています。なお、特許は米国を中心に30件取得しています。■世界初・低コスト不揮発メモリセル技術の開発に成功
製造工程中の高温熱処理を嫌う高誘電率ゲート絶縁膜やメタルゲートが最先端ロジックCMOSプロセスでは標準実装されており、不揮発メモリの混載は不可能と言われてきました。当社では、Pチャネル・ショットキー接合メモリセル『TwinBit』を新規開発し、マスク追加・工程追加無しに最先端ロジックCMOS上に不揮発メモリを実現しました。『TwinBit』は、1万回のデータ書き換え、10マイクロ秒でのデータ書き込みが可能です。■今後の事業展開
『TwinBit』の性能は、特に急成長するIoT製品やマイコン製品の製造に最適であり、大幅なコストダウンや設計工期の最短化に貢献します。世界の半導体工場で標準化されることを目指し、あらゆるロジックプロセスおよびアプリケーション向けチップに採用されるよう、積極的な開発と販売を展開してまいります。※掲載時点での情報です